上海华虹宏力半导体制造有限公司于2024年5月28日提交的名为“半导体器件的形成方法”的专利已正式发布 ，
该技术方案主要包括以下步骤 ：首先在衬底内构建第一沟槽与第二沟槽 ，第二沟槽位于SBR区域；接着在上述沟槽的内壁依次制备第一氧化物层 、氮化物层以及第二氧化物层；然后在第一沟槽底部及第二沟槽底部分别形成第一屏蔽栅与第二屏蔽栅；再在第一屏蔽栅与第二屏蔽栅表面分别制备第一隔离层与第二隔离层；随后去除第一沟槽侧壁的第二氧化物层与氮化物层 ，在第二沟槽内制备第二栅多晶硅 。并去除第二沟槽侧壁的氮化物层 ，其厚度应大于第一氧化物层厚度 ，